多晶硅(gui)具有(you)半导(dao)体(ti)(ti)性(xing)质，是很为重(zhong)要的优良(liang)半导(dao)体(ti)(ti)材(cai)料，但微量的杂(za)质即可大(da)大(da)影(ying)响其导(dao)电(dian)(dian)性(xing)。电(dian)(dian)子工业中广(guang)泛用于(yu)制造半导(dao)体(ti)(ti)收(shou)音机(ji)(ji)、录(lu)音机(ji)(ji)、电(dian)(dian)冰箱、彩电(dian)(dian)、录(lu)像机(ji)(ji)、电(dian)(dian)子计算机(ji)(ji)等的基础材(cai)料。由(you)干燥硅(gui)粉与干燥氯化氢气体(ti)(ti)在(zai)一定条件下氯化，再经冷(leng)凝、精馏(liu)、还原而得(de)。
多(duo)晶(jing)(jing)硅可作拉制单晶(jing)(jing)硅的原(yuan)料，多(duo)晶(jing)(jing)硅与单晶(jing)(jing)硅的差异主要表现在(zai)物理性(xing)质(zhi)方(fang)(fang)面(mian)。例如，在(zai)力学(xue)(xue)性(xing)质(zhi)、光学(xue)(xue)性(xing)质(zhi)和(he)(he)热学(xue)(xue)性(xing)质(zhi)的各(ge)向异性(xing)方(fang)(fang)面(mian)，远(yuan)不如单晶(jing)(jing)硅明显；在(zai)电(dian)学(xue)(xue)性(xing)质(zhi)方(fang)(fang)面(mian)，多(duo)晶(jing)(jing)硅晶(jing)(jing)体的导(dao)电(dian)性(xing)也远(yuan)不如单晶(jing)(jing)硅显著(zhu)，甚(shen)至于几乎没有(you)导(dao)电(dian)性(xing)。在(zai)化学(xue)(xue)活(huo)性(xing)方(fang)(fang)面(mian)，两者(zhe)的差异小(xiao)。多(duo)晶(jing)(jing)硅和(he)(he)单晶(jing)(jing)硅可从外观上加(jia)以区别，但真正的鉴(jian)别须通过(guo)分析测定(ding)晶(jing)(jing)体的晶(jing)(jing)面(mian)方(fang)(fang)向、导(dao)电(dian)类型(xing)和(he)(he)电(dian)阻率(lv)等。
多晶(jing)硅(gui)是(shi)(shi)生产(chan)单晶(jing)硅(gui)的直接原(yuan)料(liao)，是(shi)(shi)当(dang)代人(ren)工智能、自动(dong)控制、信(xin)息处理、光(guang)电转换等半导体器(qi)件的电子(zi)信(xin)息基础(chu)材料(liao)。被(bei)称(cheng)为“微电子(zi)大厦(sha)的基石”。
利用价值
在太阳能(neng)利用上，单晶硅和(he)多(duo)晶硅也(ye)发(fa)挥着巨大的(de)作用。虽然从目(mu)前(qian)来(lai)讲，要使太阳能(neng)发(fa)电(dian)具有(you)较大的(de)市场，被广大的(de)消费者接受，就必须(xu)提高(gao)太阳电(dian)池(chi)的(de)光电(dian)转换效率，降低生产成本。从目(mu)前(qian)国际太阳电(dian)池(chi)的(de)发(fa)展过程可以看出其发(fa)展趋势为单晶硅、多(duo)晶硅、带状(zhuang)硅、薄(bo)膜材料（包括微晶硅基薄(bo)膜、化合物基薄(bo)膜及染料薄(bo)膜）。
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